[22p-P03-1~23] 17 ナノカーボン(ポスター)

[22p-P03-13] c面サファイア上に成長させたグラフェン上におけるGaNリモートエピタキシーのその場XRD解析

〇(M2)福家 聖也¹、佐々木 拓生²、川合 良知¹、日比野 浩樹¹ (1.関学大理工、2.量研)

キーワード：窒化ガリウム、グラフェン、X線回折

我々はこれまでに、多結晶グラフェンを転写したc面サファイア基板上でのGaNのリモートエピタキシャル成長を報告しているが、GaNの結晶性の向上や薄膜化に課題があった。そこで本研究では、多結晶グラフェンを直接成長させたc面サファイア基板上で、プラズマ援用分子線エピタキシー法によるGaNの結晶成長をその場X線回折により調べ、転写グラフェンの場合と比較したので報告する。