[23a-E101-1~11] 17.3 Layered materials

[23a-E101-10] Fabrication and characterization of 2 D material photodetector for image sensor device

〇Yoshinori Nakagawa¹, Masahiko Sano¹, Shigeki Okauchi¹, Takashi Mukai¹, Yasuhide Ohno², Masao Nagase² (1.Nichia Corp., 2.Tokushima Univ.)

Keywords:graphene, MoWS2, photodetector

層状物質イメージセンサ素子等の応用研究の基礎検討として、グラフェン透明電極とSi(100)面ショットキー接合を利用した受光デバイスのグラフェン透明電極上にMoxW1-xS2膜を転写した際の受光素子特性の変化について、角度分解高電子分光法による素子内の電子状態観察結果等と関連付けて報告する。