[23a-E101-1~11] 17.3 Layered materials

[23a-E101-11] [Highlight]2D Material Field-Effect Transistors with High-k Top Gate Oxide toward 1-nm EOT

〇Haruki Uchiyama¹, Tomonori Nishimura¹, Kosuke Nagashio¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:2D materials, Top gate field-effect transistors, High-k gate dielectric

本研究では，酸素分離型熱蒸着法による原子層材料上への高誘電率絶縁膜Er₂O₃の形成を試み，トップゲート型電界効果トランジスタの電気特性から，絶縁膜の誘電率や絶縁膜堆積による欠陥導入について評価した．単層MoS₂上のEr₂O₃の誘電率は11.6 となり，SiO₂上のEr₂O₃の誘電率13.3と近い値が得られた．本手法は，表面清浄な2次元材料上の絶縁膜の形成に有効であると考えられる．