[23a-E101-1~11] 17.3 層状物質

[23a-E101-11] 【注目講演】1-nm EOTの実現に向けた高誘電率絶縁膜Er₂O₃を用いたトップゲート型2次元材料電界効果トランジスタの創製

〇内山 晴貴¹、西村 知紀¹、長汐 晃輔¹ (1.東大工)

キーワード：2次元材料、トップゲート型電界効果トランジスタ、高誘電率ゲート絶縁膜

本研究では，酸素分離型熱蒸着法による原子層材料上への高誘電率絶縁膜Er₂O₃の形成を試み，トップゲート型電界効果トランジスタの電気特性から，絶縁膜の誘電率や絶縁膜堆積による欠陥導入について評価した．単層MoS₂上のEr₂O₃の誘電率は11.6 となり，SiO₂上のEr₂O₃の誘電率13.3と近い値が得られた．本手法は，表面清浄な2次元材料上の絶縁膜の形成に有効であると考えられる．