[23a-E302-1~11] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23a-E302-1] 強磁性ホイスラー合金/n⁺-GaNショットキートンネル接合電極を用いたGaNチャネル層中のスピン伝導検出

〇(M1)加藤 昌稔¹、山田 晋也^2,1、市川 修平³、小林 周平³、山田 道洋^2,4、内藤 貴大¹、舘林 潤³、藤原 康文^3,2、浜屋 宏平^2,1 (1.阪大基礎工、2.阪大基礎工 CSRN、3.阪大工、4.JST さきがけ)

キーワード：GaN、ホイスラー合金、半導体スピントロニクス