[23a-E302-1~11] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23a-E302-2] Si(111)基板上へのGaN/AlN共鳴トンネルダイオードの作製

〇永瀬 成範¹、高橋 言緒¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：窒化物半導体、量子井戸、不揮発メモリ

IoT社会及びSociety 5.0の実現に向けて、不揮発メモリの更なる⾼性能化は重要である。我々は、GaN系共鳴トンネルダイオード（GaN系RTD）でのサブバンド間遷移現象を用いることで、⾼速な不揮発メモリの実現を⽬指している。今回、我々は、この不揮発メモリのSiデバイス等との集積化に向けて、Si(111)基板上にGaN系RTDを作製し、不揮発メモリ動作を確認したので報告する。