[23a-E302-1~11] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

[23a-E302-3] Fabrication of AlN vertical Schottky barrier Diode on AlN bulk substrate

〇Takuya Maeda¹, Ryan Page¹, Kazuki Nomoto¹, Masato Toita², Huili (Grace) Xing¹, Debdeep Jena¹ (1.Cornell University, 2.Asahi Kasei)

Keywords:Aluminum Nitride (AlN), Nitride Semiconductor, Schottky barrier diode

AlN基板上にAlNをエピタキシャル成長することで高品質なAlNを得ることができると予想されるが，現在入手可能なAlN基板は半絶縁性であり，基板裏面にOhmic電極を有する縦型構造を用いることができない．本研究では，ドリフト層下部にn型AlGaN電流拡散層を挿入し，エッチングにより露出させたAlGaN層上にOhmic電極を形成することで擬似縦型構造を用いることを提案する．AlN基板上AlN SBDを作製し，その電気的特性および温度依存性を調べた．