[23a-E302-1~11] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23a-E302-3] AlN基板上AlN縦型ショットキーバリアダイオードの作製

〇前田 拓也¹、Page Ryan¹、野本 一貴¹、戸板 真人²、Xing Huili (Grace)¹、Jena Debdeep¹ (1.コーネル大学、2.旭化成)

キーワード：窒化アルミニウム(AlN)、窒化物半導体、ショットキーバリアダイオード

AlN基板上にAlNをエピタキシャル成長することで高品質なAlNを得ることができると予想されるが，現在入手可能なAlN基板は半絶縁性であり，基板裏面にOhmic電極を有する縦型構造を用いることができない．本研究では，ドリフト層下部にn型AlGaN電流拡散層を挿入し，エッチングにより露出させたAlGaN層上にOhmic電極を形成することで擬似縦型構造を用いることを提案する．AlN基板上AlN SBDを作製し，その電気的特性および温度依存性を調べた．