[23a-E302-1~11] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23a-E302-4] 界面顕微光応答法を用いたdoped-AlNのフォーミング現象の二次元評価

〇川角 優斗¹、今林 弘毅¹、塩島 謙次¹ (1.福井大院工)

キーワード：スイッチング素子、フォーミング、界面顕微光応答法

スイッチング素子として機能するdoped-AlNのフォーミング現象を、界面顕微光応答法(SIPM)により、二次元的に評価した。初期状態の光電子収率(Y)、エネルギーバンドギャップ(E_g)像は均一であった。一方、電圧印加によってフォーミング後は素子の一部でYが増加しE_gが0.5 eV程度低い領域が検出され、低抵抗化のメカニズムを明らかにした。