[23a-E302-1~11] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [23a-E302-5] スパッタアニールAlN上GaN/AlN 2次元正孔ガス構造の電気特性評価と微細構造解析

〇西村 海音¹、中西 悠太¹、林 侑介¹、藤平 哲也¹、Chaudhuri Reet²、Cho Yongjin²、Xing Huili (Grace)²、Jena Debdeep²、上杉 謙次郎^3,4、三宅 秀人^4,5、酒井 朗¹ (1.阪大院基礎工、2.コーネル大学、3.三重大地創戦略企、4.三重大院地域イノベ、5.三重大院工)

キーワード：窒化物半導体、2次元正孔ガス、GaN/AlN

AlGaN/GaNデバイスでは高移動度・高密度の2次元電子ガス（2DEG）の存在が確認され、高周波帯域での実用化がなされている。一方で、GaN/AlN構造において2019年にはじめて分極誘起由来の2次元正孔ガス（2DHG）が確認された。本研究ではスパッタAlNを対面式アニールで高品質化させたFFA Sp-AlNテンプレート上にGaN/AlN構造を形成し、電気特性評価および微細構造解析を行った。