[23a-E302-1~11] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23a-E302-7] GaN上III-V族化合物のMOCVD成長のためのGaN表面As化層

〇星 拓也¹、吉屋 佑樹¹、杉山 弘樹¹、中島 史人¹、松崎 秀昭¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：GaN HEMT、As化、MOCVD