[23a-E307-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23a-E307-1] 高濃度共ドープしたSiナノトランジスタの単一電子トンネリング評価

〇金子 義¹、ジュパリ タルナ テジャ¹、三浦 舜平¹、山口 謙祐¹、モラル ダニエル¹ (1.静大電研)

キーワード：ドーパント、単一電子トランジスタ、量子ドット