[23a-E307-1~11] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[23a-E307-11] A Study on improvement of output characteristics of tunnel FET with p-n-i-n structure

〇Riku Fujii¹, Koki Endo¹, Yan Wu¹, Yoshihiro Takahashi¹ (1.Nihon Univ.)

Keywords:Tunnnel FET

TFETにおけるI_D-V_D特性の立ち上がりは，従来のMOSFETに比べ緩やかであり，CMOS回路に適用した際にスイッチング時間の増大を招く．そこで，I_D-V_D特性の立ち上がり特性改善を目的に，TFETのSource-Body界面にn形領域(Pocket領域)を形成したp-n-i-n構造を適用し，デバイスシミュレーションを用いて検討を行った．