[23a-E307-1~11] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23a-E307-11] p-n-i-n構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討

〇藤井 陸功¹、遠藤 孔輝¹、呉 研¹、高橋 芳浩¹ (1.日大理工)

キーワード：トンネルFET

TFETにおけるI_D-V_D特性の立ち上がりは，従来のMOSFETに比べ緩やかであり，CMOS回路に適用した際にスイッチング時間の増大を招く．そこで，I_D-V_D特性の立ち上がり特性改善を目的に，TFETのSource-Body界面にn形領域(Pocket領域)を形成したp-n-i-n構造を適用し，デバイスシミュレーションを用いて検討を行った．