11:45 〜 12:00
[23a-E307-11] p-n-i-n構造によるトンネルFETの出力特性改善に関する検討
キーワード:トンネルFET
TFETにおけるID-VD特性の立ち上がりは,従来のMOSFETに比べ緩やかであり,CMOS回路に適用した際にスイッチング時間の増大を招く.そこで,ID-VD特性の立ち上がり特性改善を目的に,TFETのSource-Body界面にn形領域(Pocket領域)を形成したp-n-i-n構造を適用し,デバイスシミュレーションを用いて検討を行った.
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.5 デバイス/配線/集積化技術
2022年3月23日(水) 09:00 〜 12:00 E307 (E307)
加藤 公彦(産総研)
11:45 〜 12:00
キーワード:トンネルFET