[23a-F407-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23a-F407-3] Ga(N)As(Bi)混晶における光励起されたキャリアがラマンスペクトルに及ぼす影響

〇(DC)長谷川 将¹、蓮池 紀幸¹、西中 浩之¹、吉本 昌広¹ (1.京都工繊大)

キーワード：分子線エピタキシー、ガリウムヒ素、ラマン分光法

MBE成長Ga(N)As(Bi)混晶薄膜の分子振動特性をラマン分光法により調査した。発表当日は、励起レーザによって生成されたキャリアの振る舞いとそれらのLOフォノン・プラズモン結合(LOPC)モードへの寄与について詳細に議論する。