[23a-F407-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23a-F407-4] InGaSb層を導入したGaAs基板上InAsSbの結晶性評価

〇本部 好記¹、中川 翔太¹、岩切 優人¹、前田 幸治¹、荒井 昌和¹ (1.宮崎大工)

キーワード：InAsSb、中赤外、MOVPE

InAsSbは中赤外波長帯の発光・受光素子用材料として有望である。GaAs基板上に高品質なInAsSbを成長するために、InGaSbバッファ層を導入する検討を行った。InGaSb層を30nm導入することで、表面の平坦性が向上した。また、室温のフォトルミネッセンス強度が上昇した。