[23a-F407-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23a-F407-5] InP(311)B基板上におけるInGaAsPBi成長

〇赤羽 浩一¹、松本 敦¹、梅沢 俊匡¹、山本 直克¹、富永 依里子²、菅野 敦史¹ (1.情通機構、2.広島大)

キーワード：Bi系化合物半導体、分子線エピタキシー

本研究では半導体レーザなどのデバイス応用の際に利用するInGaAsP材料系へのBi照射の影響、およびBi混入に関して、InP(311)B基板上におけるMBE成長の検討を行ったのでこれを報告する。