[23a-F407-1~8] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[23a-F407-6] InP基板上 1.5 μm帯InAs 量子ドットの成長

〇權 晋寛¹、詹 文博¹、岩本 敏^1,2、荒川 泰彦¹ (1.東大ナノ量子、2.東大先端研)

キーワード：量子ドット、分子線エピタキシー、InP基板

近年、シリコンフォトニクスの進展などにより、高効率光源として量子ドットが注目されている。特に、長距離光通信用 1.5 μm 帯 InAs 系量子ドットは高効率に発光するため、次世代高性能多波長光源として注目されている。また、光量子コンピュータ用の高効率非線形光学素子としての展開も期待されている。しかし、InP 基板に格子整合する高インジウム組成のInAlGaAs 層上に InAs を供給すると、インジウム付着原子により、1次元量子ダッシュ構造が形成される問題があった。今回我々は、InAlGaAs 層上に薄い GaAs 層を挿入することで、InP基板上で良質な1.5 μm帯InAs 量子ドットの形成を実現したので報告する。