[23a-F408-1~9] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[23a-F408-6] [Highlight]Realizing of a selector function in Hf-O-Te amorphous films by composition control

〇Shogo Hatayama¹, Yuta Saito^1,2, Noriyuki Uchida^1,2 (1.AIST, 2.AIST-NEC Quantum Technology Cooperative Research Laboratory)

Keywords:Chalcogenide, Amorphous, Slector

クロスポイント型素子のメモリ層には、不揮発な抵抗変化を示す相変化材料(PCM)が用いられており、セレクタ層には揮発性の抵抗変化を示すアモルファスカルコゲナイド(A-Ch)が使用されている。ここ数年の間、優れた特性を有するPCMが数多く報告されている一方で、A-Chの材料開発は世界的にも遅れており、新材料の開発が急務となっている。しかしながら、現行のA-Ch 開発はAs やSe といった有毒元素を軸にして行われているため環境負荷が高く、新たな材料開発指針の登場が強く望まれている。そこで、発表者らは両極端な電気特性を有するHfO2(絶縁体)とHfTe2 (半金属)とを組み合わせたHf-O-Te 系において組成制御によるセレクタ材料開発を目論んだ。本研究では、様々な組成を有するHf-O-Te 系アモルファス薄膜を作製し、電気特性の評価およびセレクタ機能発現の可否を調査した。