[23p-D214-1~19] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

[23p-D214-8] 量子ビットとのモノリシック実装に向けたNbNベース超低消費電力単一磁束量子回路の設計

〇中山 彪之助¹、上田 伴春¹、田中 雅光¹、山下 太郎¹、藤巻 朗¹ (1.名大工)

キーワード：単一磁束量子回路、窒化ニオブ

量子ビットとモノリシックな単一磁束量子回路による量子ビットの制御が提案されているが，それには更なる低消費電力化が求められる．ジョセフソン接合の大きさの制限から低消費電力化には接合の低電流密度化が求められ，その場合動作速度とのトレードオフが生じる．本研究の目的は，量子ビットとのモノリシック化に向けNbNベースの単一磁束量子回路で量子ビットの制御に必要な４GHz以上の動作速度の可能性を評価することである．