[23p-D215-1~16] 11.1 基礎物性

[23p-D215-5] PLD 法で作製した FeSe/SrTiO₃における T_cの厚み依存性

〇(M2)小林 友輝¹、小川 浩生¹、鍋島 冬樹¹、前田 京剛¹ (1.東大院総合)

キーワード：鉄系超伝導体、鉄カルコゲナイド、薄膜

鉄カルコゲナイド超伝導体FeSeは様々な手法でT_cが上昇することが知られており，特にSrTiO₃基板上の単層FeSeは界面効果による超伝導増強で注目されている．これらは分子線エピタキシー法でしか実現されていなかったが，我々はPLD法で厚み10 nm以上のFeSe薄膜を作製し，界面超伝導を実現できたことを前回報告した．前回報告した試料よりもさらに薄いFeSe薄膜の作製に成功したため，今回はそれらの超伝導特性について報告する．