[23p-D316-1~17] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

△ [23p-D316-13] Group IV Semiconductor Quantum Dots in Thermal-Oxide and Quartz-Glass Fabricated by Hot-Ion Implantation

〇Koki Murakawa¹, Takashi Aoki¹, Toshiyuki Samejima², Tomohisa Mizuno¹ (1.Kanagawa Univ., 2.Tokyo Univ. Agri. Tech.)

Keywords:quantum-dot, SiC, hot ion implantation

金属不純物が1ppm以下のクオーツガラス基板（QZ）へのホットイオン注入法を用いて作製したSiC半導体量子ドット(QD)の特性とOX中SiC-QDとの比較を行い,PL発光への不純物の影響について検討した.QZ基板中にB⁺,P⁺をイオン注入することで,PL強度が増大することがわかった.従って，PL強度増大にはSiC中の不純物準位密度を増すことが重要であることがわかった．