[23p-D316-1~17] 13.6 ナノ構造・量子現象・ナノ量子デバイス

△ [23p-D316-13] クオーツ基板及び熱酸化膜中へのホットイオン注入によって形成したⅣ族半導体量子ドットの比較

〇村川 洸紀¹、青木 孝¹、鮫島 俊之²、水野 智久¹ (1.神奈川大理、2.東京農工大工)

キーワード：量子ドット、SiC、ホットイオン注入

金属不純物が1ppm以下のクオーツガラス基板（QZ）へのホットイオン注入法を用いて作製したSiC半導体量子ドット(QD)の特性とOX中SiC-QDとの比較を行い,PL発光への不純物の影響について検討した.QZ基板中にB⁺,P⁺をイオン注入することで,PL強度が増大することがわかった.従って，PL強度増大にはSiC中の不純物準位密度を増すことが重要であることがわかった．