The 69th JSAP Spring Meeting 2022

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

[23p-D316-1~17] 13.6 Nanostructures, quantum phenomena, and nano quantum devices

Wed. Mar 23, 2022 1:00 PM - 5:45 PM D316 (D316)

Toshihiro Nakaoka(Sophia Univ.), Yukihiro Harada(Kobe Univ.), Ryuichi Ohta(NTT)

4:45 PM - 5:00 PM

[23p-D316-14] Photoluminescence of Porous Silicon under Chemical Dissolution

〇Naoto Takura1, Sakata Souki1, Lianhua Jin1, Bernard Gelloz2 (1.Univ. of Yamanashi, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:porous silicon, photoluminescence, Chemical Dissolution

フォトルミネセンス(PL)特性を有するポーラスシリコン(PSi)は,多孔率が高い程,ナノシリコン結晶の大きさが小さくなり,PLのピーク波長が短くなる.PSiに対してHFを使用した化学溶解を行うことで,より高い多孔率が得られる.ここでは,p,p+,n+型PSiの化学溶解中に生じるPL特性について調べたので,その結果について報告する.