[23p-E202-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-E202-11] Local Electronic Properties and Thermal Stress Effects on N-type GaN Crystals in contact with Multilayer Electrode Film by Micro-Raman Spectroscopy at High Temperature

〇Jun Suda¹, Motoki Kawase¹ (1.Chukyo University)

Keywords:Widegap semiconductor, Micro-Raman spectroscopy, Thermal stress effects

車載用パワーデバイスは高温動作のため、電極界面の半導体の熱応力や電子物性を知る必要がある。本研究では、多層電極(Au/Ti/Cr)付n型GaN結晶の熱応力特性と同時に高温電子物性を非破壊で求めることを目的とし、室温から200℃のラマンスペクトルを測定した。スペクトル解析より求めた電極近傍の熱応力はFEMの解析結果とほぼ一致し、電極近傍の比抵抗は電極遠方のものより小さくなることがわかった。