[23p-E202-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

△ [23p-E202-2] Tuning of Localized Surface Plasmon Resonance in Green Wavelength Region and High-Efficiency Light Emission in Nitride Semiconductors

〇Yuki Kamei¹, Seiya Kaito¹, Tetsuya Matsuyama¹, Kenji Wada¹, Mitsuru Funato², Yoichi Kawakami², Koichi Okamoto¹ (1.Osaka Pref. Univ., 2.Kyoto Univ.)

Keywords:nitride semiconductor, plasmonics, InGaN

窒化物半導体LED、特にInGaN/GaNの発光効率は緑色波長領域で著しく下がり、これはグリーンギャップと呼ばれている。プラズモニクスを用いると輻射再結合効率が高まるため、グリーンギャップの解消が期待できる。本研究では誘電体薄膜を局在型プラズモンと組み合わせることでプラズモン共鳴波長をコントロールし、緑色波長領域で強いプラズモン共鳴を起こすことに成功した。さらにFDTD法を用いて緑色波長領域内での強い発光増強効果が実現できることを示した。