[23p-E202-1~14] 15.4 III-V-group nitride crystals

[23p-E202-4] Separate Evaluation of Radiative and Non-Radiative Recombination Lifetimes in InGaN Quantum Wells by Combination of Simultaneous Photoacoustic & Photoluminescence and Time-Resolved Photoluminescence Measurements

Keito Mori-Tamamura¹, Yuya Morimoto¹, Shunya Hakamata¹, 〇Atsushi Yamaguchi¹, Susumu Kusanagi², Yuya Kanitani², Yoshihiro Kudo², Shigetaka Tomiya² (1.Kanazawa Inst. Tech., 2.Sony Group Corp.)

Keywords:Internal Quantum Efficiency, InGaN Quantum Well, Radiative Recombination

InGaN量子井戸(QW)のキャリアダイナミクスは完全には解明されていない．我々は，その理解の為には，内部量子効率(IQE)の正確な評価が必要であると考えている．我々は，従来手法よりも正確に窒化物半導体のIQEを推定する方法として，光音響(PA)・発光(PL)同時計測法を提案しており，GaN膜とInGaN-QW試料のIQEを測定し，さらに，時間分解PL測定と組み合わせてGaN膜におけるキャリアダイナミクスの議論も展開している．本研究では，In組成の異なるInGaN-QW試料シリーズに対して，IQE測定[5]と時間分解PL測定を組み合わせて，輻射・非輻射寿命(tauR, tauNR)の分離評価を行った.