[23p-E205-1~18] 10.4 Spintronics in semiconductor, topological material, superconductor, and multiferroics

△ [23p-E205-3] Gate-voltage dependence of electron g-factor in InAs/AlGaSb quantum wells

〇(B)Soh Komatsu¹, Hiroshi Irie², Takafumi Akiho², Koji Muraki², Tatsushi Akazaki¹ (1.NIT(KOSEN), Kochi College, 2.NTT BRL)

Keywords:InAs quantum well, electron g-factor, coincidence method

層厚が異なる3つのInAs/AlGaSb QW中に形成される2次元電子ガスのg-因子-エネルギー依存性をコインシデンス法を用いて評価した。g-因子は、15 nmの試料で低エネルギー側において急激に増加している点を除けば、層厚によらないエネルギー依存性を示した。また、高エネルギー側では歪みを考慮していない場合の計算値とよく一致し、低エネルギー側では計算値とのずれが大きくなった。このずれは，エピタキシャル歪みによる増大と考えられる。