[23p-E205-1~18] 10.4 半導体・トポロジカル・超伝導・強相関スピントロニクス

△ [23p-E205-3] InAs/AlGaSb量子井戸におけるg-因子のゲート電圧依存性

〇(B)小松 颯¹、入江 宏²、秋保 貴史²、村木 康二²、赤﨑 達志¹ (1.高知高専、2.NTT物性基礎研)

キーワード：InAs量子井戸、電子g-因子、コインシデンス法

層厚が異なる3つのInAs/AlGaSb QW中に形成される2次元電子ガスのg-因子-エネルギー依存性をコインシデンス法を用いて評価した。g-因子は、15 nmの試料で低エネルギー側において急激に増加している点を除けば、層厚によらないエネルギー依存性を示した。また、高エネルギー側では歪みを考慮していない場合の計算値とよく一致し、低エネルギー側では計算値とのずれが大きくなった。このずれは，エピタキシャル歪みによる増大と考えられる。