[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23p-E302-1] [第43回優秀論文賞受賞記念講演] エピタキシャル成長及びイオン注入により作製されたGaN基板上Mg添加 p型GaNの室温フォトルミネッセンス寿命

〇秩父 重英¹、嶋 紘平¹、小島 一信¹、高島 信也²、上野 勝典²、江戸 雅晴²、井口 紘子³、成田 哲生³、片岡 恵太³、石橋 章司⁴、上殿 明良⁵ (1.東北大多元研、2.富士電機、3.豊田中研、4.産総研CD-FMat、5.筑波大数物系)

キーワード：半導体、GaN、時間分解フォトルミネッセンス

GaNデバイスには高濃度p型GaN (p-GaN)と低濃度p-GaNの双方が必要であり、それらを位置選択して再現性良く形成する技術の確立が必須である。しかしながら、正孔濃度が精密に制御されたMg添加p-GaNを再現性良くエピすることは容易ではない。Mgイオン注入(I/I) によりp-GaNを形成することは、高濃度の点欠陥導入やI/I後のアニールによる空孔クラスタリングの影響により更に困難である。2010年代半ばから、Mg-I/Iを用いたp-GaN形成やpn接合・トランジスタ構造の形成が次々と報告されるようになり、GaNパワーデバイスに関する複数の大型国家プロジェクトも開始された。本講演では、上記プロジェクトに筆者らが参加することにより得られた成果をIWN2018にて発表しJJAP Special Issueに掲載され、本学会第43回優秀論文賞に選定された論文の内容を概説する。