[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [23p-E302-10] 分布型分極ドーピングにより作製したp-n接合の電気特性評価

〇隈部 岳瑠¹、川崎 晟也¹、渡邉 浩崇²、安藤 悠人²、新田 州吾²、本田 善央²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.名大ARC)

キーワード：窒化ガリウム、分極ドーピング、p-n接合

分布型分極ドーピング(Distributed Polarization Doping: DPD)は新たなⅢ族窒化物半導体・ドーピング手法として注目されている．しかし，電子デバイスへの応用上重要となるDPD層での縦方向キャリア輸送等については未だ詳細な研究がなされていない．本研究ではDPDのみにより「p-n接合」を作製しキャリア輸送特性や容量特性を評価したので報告する．