[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [23p-E302-14] 電圧印加界面顕微光応答法によるn-GaNショットキー接触の電界の二次元評価

〇安井 悠人¹、堀切 文正²、成田 好伸²、福原 昇²、三島 友義³、今林 弘毅¹、塩島 謙次¹ (1.福井大院工、2.(株)サイオクス、3.法政大)

キーワード：ショットキー接触、界面顕微光応答法、二次元電界評価

一般に電界強度の2次元シミュレーションでは電極端面など不連続な領域で正確に決定することは難しい。我々はNi/n-GaNショットキー接触における電界分布を実験的に求めるため、界面顕微光応答(SIPM)法を用いて二次元評価を行った。紫色のレーザーを用いた実験で逆バイアス電圧 (-82 V) を印加した時、端面の電界集中を可視化することができ、中央部の1.28 倍の電界がかかっていると見積もることができた。