[23p-E302-1~18] CS.9 Code-sharing Session of 13.7 & 15.6

△ [23p-E302-16] Effect of oxide species on contact resistivity of n-GaN/Oxide/Al

〇(D)Jiro Koba^1,2, Junichi Koike¹ (1.Tohoku Univ., 2.JX Nippon Mining & Metals Corporation)

Keywords:GaN, contact resitivity, Metal insulator semiconductor structure

GaNは高い絶縁破壊電界と高い電子飽和速度を有し、高出力、高周波デバイスへの応用、実用化が進んでいる材料である。我々はGaN/金属間の接触抵抗を低減する研究を行っている。これまで、GaNと様々な金属間のショットキー障壁高さを調べ、フェルミレベルピンニングが起きていること、GaN/GaO_x/AlからなるMIS構造によって接触抵抗率を大きく低減できることを報告した。本発表では、MIS構造のI層として３種類の酸化物を選択し、接触抵抗への影響を調べたので報告する。