[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

△ [23p-E302-16] n-GaN/Oxide/Alの接触抵抗率に及ぼす酸化物種の影響

〇(D)古塲 治朗^1,2、小池 淳一¹ (1.東北大学、2.JX金属)

キーワード：窒化ガリウム、接触抵抗率、MIS構造

GaNは高い絶縁破壊電界と高い電子飽和速度を有し、高出力、高周波デバイスへの応用、実用化が進んでいる材料である。我々はGaN/金属間の接触抵抗を低減する研究を行っている。これまで、GaNと様々な金属間のショットキー障壁高さを調べ、フェルミレベルピンニングが起きていること、GaN/GaO_x/AlからなるMIS構造によって接触抵抗率を大きく低減できることを報告した。本発表では、MIS構造のI層として３種類の酸化物を選択し、接触抵抗への影響を調べたので報告する。