[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23p-E302-3] GaNへの高濃度Mg注入時に生じるMg偏析メカニズムの検討

〇田中 亮¹、Ashutosh Kumar²、Jun Chen²、高島 信也¹、江戸 雅晴¹、埋橋 淳²、大久保 忠勝²、関口 隆史²、三石 和貴²、宝野 和博² (1.富士電機、2.NIMS)

キーワード：窒化ガリウム、偏析、イオン注入

縦型GaN MOSFETの実用化に向けて、p型の良好なオーミックコンタクトを取るための高濃度p型層をMgイオン注入により局所形成し、高活性を実現する必要があるが、19乗以上のMgをGaNに注入して活性化熱処理すると、Mgが偏析し、偏析部以外のMg濃度が18乗台前半まで低下してしまう問題がある。今回は、p型エピに不活性元素を注入し、Mg偏析のメカニズムを検討した結果を報告する。