[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23p-E302-6] Mg熱拡散を用いたGaNのp型化プロセス

〇伊藤 佑太¹、陸 順¹、渡邉 浩崇²、出来 真斗³、新田 州吾²、本田 善央²、田中 敦之²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.名大ARC)

キーワード：イオン注入、熱拡散、GaN

GaNの局所的p型伝導制御は縦型パワーデバイス作製において必要不可欠な技術である。我々はMgイオン注入法の代替としてMg熱拡散法に着目した。Mg熱拡散法を用いたGaNのp型化に関しては20年前に報告された1000℃以下で数時間焼鈍した内容に限られている。本研究では、濃度分布制御が可能なドーピング技術確立のため、Mg熱拡散法を用いたp型GaNの作製、評価を試みた。