[23p-E302-1~18] CS.9 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価、15.6 IV族系化合物（SiC）のコードシェアセッション

[23p-E302-7] 空孔誘導Mg熱拡散法を用いたGaNのMg濃度制御

〇伊藤 佑太¹、島村 健矢¹、渡邉 浩崇²、出来 真斗³、新田 州吾²、本田 善央²、田中 敦之²、天野 浩^2,3,4 (1.名大院工、2.名大IMaSS、3.名大VBL、4.名大ARC)

キーワード：イオン注入、熱拡散、GaN

局所的なp型伝導制御はGaN縦型パワーデバイス高耐圧化に向けて必要不可欠な技術である。これまでに、我々は当日別講演にて報告するMg熱拡散法を用いたp型GaNの作製に成功した。しかし、Mg熱拡散法ではいずれの焼鈍条件でもMgが一定濃度(2~3E+18 cm^-3 )となりMg濃度制御が困難であった。本研究では、V_Ga濃度をN注入濃度で制御し、熱拡散後のMg濃度に対するN注入濃度依存性を評価した。