[23p-E307-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23p-E307-10] 表面ラフネス散乱に対してロバストな極薄膜nMOSFETのチャネル材料と面方位の最適設計

〇(DC)隅田 圭¹、陳 家驄¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹、高木 信一¹ (1.東大院工)

キーワード：ナノシート、表面ラフネス散乱、移動度

極薄膜ナノシートチャネルは将来のCMOSチャネルとして最も有望な構造である一方, 表面ラフネス散乱による移動度の劣化が課題として知られている. 我々は以前に, 定量性が大幅に改善された表面ラフネス散乱の理論モデルを提案している. 従って, 本研究では各種材料・面方位に提案モデルを適用することで, 2 nmの膜厚まで移動度を評価し, 極薄膜チャネルにおける最適なチャネル材料と面方位を明らかにした.