[23p-E307-1~20] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[23p-E307-13] Current Oscillation in the Subthreshold Region on Cryogenic 200 nm SOI-FET

〇(M1)Tatsukichi Sugii¹, Takayuki Mori¹, Hiroshi Oka², Takahiro Mori², Jiro Ida¹ (1.Kanazawa Inst., 2.AIST)

Keywords:semicnductor, SOI-MOSFET, Cryogenic

量子コンピュータのさらなる多量子ビット化に向け、そこで発生する配線ボトルネックを解消する目的で、Cryo-CMOSの研究開発が活性化している。我々も、商用プロセスによるSOI-FETを用いて極低温での特性評価に着手した。ここでは、ラピス・セミコンダクタ社の200nm SOI-FETを使い、300 Kから2.5 Kまでの各温度域での特性評価を行い, 極低温ではサブスレッショルド領域において電流が振動する現象を確認したので報告する.