[23p-E307-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23p-E307-14] 極低温におけるバルクMOSFETランダムばらつきに対するパーコレーションパスの影響

〇水谷 朋子¹、竹内 潔¹、更屋 拓哉¹、岡 博史²、森 貴洋²、小林 正治^1,3、平本 俊郎¹ (1.東大生研、2.産総研、3.東大d.lab)

キーワード：MOSFET、極低温、ばらつき

バルクMOSFETのしきい値電圧 (V_TH) を室温 (RT) と4Kで測定し，2つのV_THの定義： V_THEX (外挿法)，V_THC (定電流法) を用いて，極低温におけるV_THばらつきの原因を解析した．V_THEXとV_THCの温度依存性は振る舞いが異なり，離散不純物揺らぎ (RDF) によるポテンシャルの谷に起因するチャネル内のパーコレーションパスは，V_THCの温度依存性に影響を与えることがわかった． これらの現象の理由について報告する．