[23p-E307-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[23p-E307-15] 極低温動作MOSFETにおけるDIBL-likeなId-Vg特性の原因

〇稲葉 工¹、浅井 栄大¹、福田 浩一¹、岡 博史¹、森 貴洋¹ (1.産総研)

キーワード：ドレイン誘起障壁低下、クライオCMOS

量子ビット制御回路の実現に向け、極低温下でのMOSFET動作機構解明が求められている。特に短チャネル素子についてはDIBL(Drain Induced Barrier Lowering)の理解が重要であり、近年極低温下でのDIBL増加が複数報告されている。我々の研究でもそれを示唆するような短チャネルMOSFETのId-Vg特性が得られていたが、デバイスシミュレーションも併用した解析から、同特性にはDIBLが増大したかのように見せる他の要因が含まれていることがわかったので、本講演ではこれを報告する。