[23p-E307-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

△ [23p-E307-17] 極低温（4K）におけるMOS容量評価手法の開発

〇(B)宮尾 知寿¹、田中 貴久¹、内田 建¹ (1.東大工)

キーワード：低温CMOS、キャリア・フリーズアウト、MOS容量