2022年第69回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[23p-F308-1~14] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2022年3月23日(水) 13:15 〜 17:00 F308 (F308)

立岡 浩一(静大)、山口 憲司(量研機構)

15:30 〜 15:45

[23p-F308-9] Si基板上BaSi2近接蒸着膜の実効キャリア寿命

〇原 康祐1、高垣 僚太1、有元 圭介1、宇佐美 徳隆2 (1.山梨大クリスタル研、2.名大院工)

キーワード:バリウムシリサイド、キャリア寿命、光伝導

本研究では、近接蒸着法で作製したBaSi2薄膜の実効キャリア寿命を、定常光照射下における光伝導度測定により決定することを試みた。Si基板上に700–1000 °Cで成膜した試料を評価した結果、μ-PCDの時定数と同程度のキャリア寿命が得られ、測定の妥当性を確認できた。また、最大で6.2 μsの長いキャリア寿命を確認した。