[23p-P03-1~3] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[23p-P03-2] バイナリマスクと位相シフトマスクで作製された高Q値ナノ共振器(Ⅱ)

〇(B)桂 正晃¹、太田 雄士¹、高橋 友基¹、岡野 誠²、高橋 和¹ (1.大阪府大院工、2.産総研)

キーワード：高Q値ナノ共振器、バイナリマスク、位相シフトマスク

ナノ共振器やシリコンラマンレーザなどのデバイスの性能を向上するためには空気孔の作成精度を上げる必要があり，フォトリソグラフィの改善は重要課題である．先行研究において，バイナリマスクと位相シフトマスクを用いて作製された高Q値ナノ共振器の比較を行った．今回，より精緻な比較を行うべく，同一SOI基板上に，バイナリマスクと位相シフトマスクを用いて作製したナノ共振器の比較を行ったので報告する．