[23p-P09-1~10] 12.4 有機EL・トランジスタ

[23p-P09-1] 貼り付け有機単結晶FETの水誘起動作不安定性に対するソース・ドレイン電極厚さの効果

〇(M1)濱比嘉 勇人¹、野内 亮^1,2 (1.大阪府立大院工、2.JST さきがけ)

キーワード：電界効果トランジスタ、電極厚さ、湿度依存性

水分子が絶縁体-半導体界面に侵入すると、ゲートバイアスストレスによる電流減少効果が起きることが古くから知られている。実際は、これに加えて、当グループで見出したソース・ドレイン電極由来の電流増大効果が複合的に作用し、FET特性に影響を与える。本講演では、BGBC型の貼り付け有機単結晶FETにおいて、電極近傍への水分子の侵入しやすさを電極厚さで制御することで、ヒステリシスが変調できることを報告する。