[23p-P09-1~10] 12.4 有機EL・トランジスタ

[23p-P09-3] 蓄積電荷測定法によるAu/C₈-BTBT界面の正孔注入障壁測定

〇山口 晃司¹、角屋 智史¹、田島 裕之¹ (1.兵庫県立大院理)

キーワード：有機半導体、電荷注入、C8-BTBT

電荷注入障壁は、有機半導体デバイスの性能を左右する重要なパラメータの一つである。 我々は、蓄積電荷測定(ACM法)を用いて有機半導体/金属界面の電荷注入障壁を直接的に決定する実験方法を開発している。今回の発表では、改良した実験手法を用いて、Au/C₈-BTBT界面における正孔注入障壁測定を行った結果について報告する。