[23p-P12-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[23p-P12-12] Fabrication of oriented Cu₂O thin films using metal Cu added Cu₂O powder target

〇(M1)Akari Yoshida¹, Ryohei Onitsuka¹, Nodoka Kondo¹, Yasuji Yamada¹, Shuhei Funaki¹, Wenchang Yeh¹ (1.Shimane Univ.)

Keywords:Cu2O, semiconductor, thin film

Cu₂Oはバンドギャップ2.1 eVの透明な直接遷移型半導体であり、安価で無毒な太陽電池材料として注目されている。本研究では、Cu添加Cu₂O粉末ターゲットを用いて低スパッタ圧力で成膜すると、室温において結晶性の良いCu₂O配向膜が得られることが分かった。また、このCu₂O膜は透過性を有していた。さらに、p型Cu₂O膜とn型半導体ZnOを接合したZnO/Cu₂O積層膜において整流性が得られたことから、pn接合が作製されていることを確認した。