[23p-P12-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[23p-P12-3] r面sapphire基板上にMBE成長したp型a面ZnO:N薄膜

〇(M1)萩原 綱隆¹、入江 航次¹、後藤 憲應¹、畑 和輝¹、阿部 友紀¹、市野 邦男¹、赤岩 和明¹ (1.鳥取大)

キーワード：p型ZnO:N、ラジカルソースMBE、非極性a面ZnO:N

MBE法による非極性面であるa面ZnO:Nをr面sapphire上にエピタキシャル成長させることで分極による電界の発生を抑えて, アクセプタの取り込み率および活性化率の向上を狙った. 成長温度500℃で4×10¹⁸のp型伝導を得ることができた.