[23p-P12-1~14] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[23p-P12-5] スパッタエピタキシー法によるZnO単結晶層の成長(III)

〇木村 日向¹、三澤 亮太¹、吉田 圭佑¹、篠田 宏之¹、六倉 信喜¹ (1.東京電機大工)

キーワード：スパッタエピタキシー、ZnO

我々はこれまで，スパッタリング法によりZnO層のヘテロエピタキシャル成長を行ってきたが，p型の伝導性を有するZnO層の作製には至っていない．p型化には欠陥密度の減少が必要であり，結晶の更なる高品質化が不可欠である．今回は0.02°と0.2°のオフ角基板を用いて成長したZnO層の結晶性等について報告する．