[23p-P12-1~14] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[23p-P12-6] Band engineering of MgX₂O₄ (X = Al, Ga, In) alloys

〇Yuichi Ota¹, Kentaro Kaneko², Takeyoshi Onuma³, Shizuo Fujita² (1.TIRI, 2.Kyoto Univ., 3.Kogakuin Univ.)

Keywords:Ultrawide band gap semiconductor, ab initio calculation, Oxide semiconductor alloy

スピネル型MgX₂O₄(X = Al,Ga,In)混晶の物性を第一原理計算によって推定した。カチオン置換による物性の変化は既存のIII族窒化物半導体とほぼ同様の傾向を示すことが明らかとなった。